高效固件架構，混合隨機讀寫性能突出
頁交錯塊RAID算法，顯著提升數據可用性
行業領先7000+測試用例，保障高兼容性及穩定性
CPU、OS及應用高適配，支持差異化定制需求
智能主控算法與HMB機制結合，顯著提升性能表現
順序讀寫速度最高達6800/5600 MB/s
固件軟硬加速，應用運行更流暢
支持x86與非x86架構雙軌技術體系
覆蓋主流CPU與OS，支持國密算法
跨平臺穩定運行，適配復雜應用需求
DRAM-less設計顯著降低硬件采購成本
支持差異化需求開發，提升投資回報
增強型SSD日志多維度監控，大幅減少維護成本
| 型號 | AE531 | ||
| 形狀 | M.2 2242-S3-M，M.2 2280-S3-M | ||
| 容量 | 512GB | 1TB | 2TB |
| 順序讀取 | 6400 MB/s | 6800 MB/s | 6800 MB/s |
| 順序寫入 | 4500 MB/s | 5600 MB/s | 5600 MB/s |
| QLC順序寫入 | 115 MB/s | 160 MB/s | 260 MB/s |
| 隨機讀取IOPS (4KB) | 450K | 700K | 700K |
| 隨機寫入IOPS (4KB) | 750K | 800K | 800K |
| 尺寸 | 長42±0.15mm或80±0.15mm，寬22±0.15mm，高2.38mm（最大） | ||
| 重量 | 最大3.6 g或6.0 g | ||
| 功耗 | L1.2: < 5 mW，空閑: < 50 mW，工作: < 160 mW | ||
| 總線接口 | PCIe接口Gen4*4 | ||
| NVMe標準 | NVMe 1.4 | ||
| 溫度 |
工作：0℃~70℃ 非工作：-40℃~85℃ |
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| 濕度 | 5% to 95%，無冷凝 | ||
| 平均無故障工作時間 | 200萬小時 | ||
| 沖擊 |
工作：半正弦，1000G @1 ms，6面 非工作：半正弦，1500G @0.5 ms，6面 |
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| 振動 |
工作：隨機振動，5Grms，10~2000 Hz，3軸 非工作：隨機振動，7Grms，2~500 Hz，3軸 |
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| 供電電壓 | 3.3V±5% | ||
| 紋波/噪聲 | ≤100mV | ||
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